Fue aprobado para su creación en 2018; es un espacio con ambiente controlado en número de partículas suspendidas en el aire, humedad y temperatura a nivel ISO 7 o clase 10000 (<10000 particles/ft3, tamaño de partícula>0.5 um; <70 partículas/ft3 de tamaño>5 um).

Se cuenta con la infraestructura para desarrollar procesos de fabricación de dispositivos fotónicos y optoelectrónicos, lab-on-a-chip fotónicos y guías de onda en estructuras complejas a escalas micro y nano-métricas, basadas en técnicas de desarrollo microtecnológico.

Ejemplos de desarrollos: fabricación de sensores, hologramas, filtros ópticos, MEMs.

EQUIPO:

• Escritora de máscaras por litografía. para patrones master, alta precisión 0.6 um (1-5 in).
• Depósito de materiales por pulverización catódica (spultering). Sustratos de hasta 10cm. 2 fuentes RF y 1DC, 8 cañones.
• Hornos tubulares horizontales, procesos oxidación térmica y tratamientos térmicos (<1100 °C).
• Grabado iónico reactivo (RIE). Gravado selectivo y decapado de materiales con plasma de O2, SF6, Ar.
• Muflas. Tratamiento térmico de muestras, temperatura máxima de 450 °C, rampa de temperatura, cronómetro y agitador.
• Balanza analítica. Mide de 0.1 gr. a 220 gr.
• Limpiador UV Ozono con calentamiento de sutrato. Limpieza orgánica de sustratos.
• Microscopio trinocular con iluminación inferior para realizar inspección rápida de muestras.
• Estación de pruebas eléctricas semiautomatizada. Caracterización eléctrica de dispositivos electrónicos, micro y nanoelectrónicos. 6 puntas de tugsteno conectadas por cables triaxiales de bajo ruido, diámetrode la punta de 35 μm.
• Analizador de semiconductores. Resolución fA. Se conecta a puntas de la estación de pruebas.
• Cortadora de oblea de silicio. Corta obleas para generar dados de dispositivos fabricados.
• Caja de guantes (Glove Box). Ambiente controlado: baja humedad, ambiente de argón, vacío.
• Gabinete Sand  Blasting. Limpieza de pieza matálicas con chorro de arena.
• Alambradora (wirebonder). Soldadura con alambre de oro, aluminio, plata y cobre. Diámetro de alambre de 25-75 um.
• Alineadora. Tranferencia de estructuras por fotolitografía , mascarillas dee 2.5-5 in, resolución.
• Elipsómetro espectroscópico. Longitud de onda de 240nm a 1050 nm, medición de espesor (materiales opacos hasta 150 nm y materiales transparentes o semitransparentes hsta decenas de micras), reflectancia, transmitancia e índice de refracción.
• Baño ultrasónico. Tres modos de operación: normal, barrido y desgasificado; dos frecuencias de operación: 25 kHz. y 45 kHz. y una temperatura de hasta 80 °C.
• Impresora 3D de resina. Prototipo rápido (microfluídica, lentes, reactores, etc). Resolución de 500 μm.
• Spin coating. Depósito de preccursores líquidos(fotoresinas, polímeros, óxidos, etc.) por rotación, velocidades de giro de 1000 rpm a 12000 rpm.
• Depósito de películas atómicas (ALD). Depósitopor procesos químicos en fase de vapor, en sustratos de hasta 4 in.
• Evaporadora. Evaporación de películas delgadas en substratoss de hasta 20 cm.
• Cortadora de hilo diamante. Corta obleas de silicio, vidrio, cuarzo, cerámica, etc; grueso del alambre: 0.3 mm.
• Horno con vacío y ambiente controlado, temperatura máxima de 350 °C.